Numéro de produit du fabricant:
IPI023NE7N3 G
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPI023NE7N3 G-DG
Description:
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
Description détaillée:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventaire:
12802867
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SOUMETTRE
IPI023NE7N3 G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
75 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 273µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
14400 pF @ 37.5 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO262-3
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
IPI023N
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
IFEINFIPI023NE7N3 G
2156-IPI023NE7N3 G-IT
IPI023NE7N3 G-DG
IPI023NE7N3G
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP023NE7N3GXKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
460
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP023NE7N3GXKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
2.96
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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